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碲化锗膜
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晶态/非晶态秒切换，中红外光学响应强，碲化锗（GeTe）是Iv-VI族半导体
里的全能选手。
核心特性：
相变温度～397℃—
电导率10⁴～10⁵ S/M
塞贝克系数100～200μV/K，热导率适中
关键赛道：
相变存储（Pcram）
中高温热电转换、能源回收
中红外光学、前沿光电器件
高温稳定、性能强悍，撑起信息存储与能源转换双赛道。
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